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    中南大學學報(自然科學版)

    Journal of Central South University

    第10卷    第2期    總第20期    1979年6月

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    重摻銻硅單晶管道問題的研究
    佘思明1

    (1.佘思明)

    摘 要: 本文研究了重摻銻硅單晶管道的性質和克服管道問題的方法。改用[100]晶向,可靠地消除了管道。制管試驗表明,[100]晶向單晶可部分地取代[111]晶向單晶。調凹界面,則可在不改變晶向的條件下,克服管道問題。

     

    關鍵字: 管道區; 徑向電阻率; 電阻率分布; 重摻銻; 硅單晶; 制管; 鋸齒狀; 生長界面; 凸界面; 單晶硅

    Study of "Core" in Si Single Crystal With Heavily Doped Sb
    佘思明1

    1.佘思明

    Abstract:Some of the properties and preventive methods of "Core" have been investigated. Changing the orientation from [111] to [100] can reliably pre vent "Core". The test transistor fabrication has shown that [111] Single crystal can be partly replaced by [100] Crystal. Adjusting the concave gro wing interface might prevent "Core" without changing [111] orientation.

     

    Key words:

    中南大學學報(自然科學版)
      ISSN 1672-7207
    CN 43-1426/N
    ZDXZAC
    中南大學學報(英文版)
      ISSN 2095-2899
    CN 43-1516/TB
    JCSTFT
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